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（原标题：EUV实盘配资线上，又一重大突破） 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自IBM Research，谢谢。 在 NY CREATES 的奥尔巴尼纳米技术综合大楼工作的一组研究人员报告了Low NA 和High NA EUV 图案的最新良率，这显示了通往 2 纳米以下节点的途径。 在过去的几十年里，计算能力的爆炸式增长依赖于晶体管尺寸的不断缩小。硅片上最小图案尺寸的缩小在很大程度上得益于光刻技术的进步。光刻技术利用光、掩模作为设计模板，并在晶圆上浇铸感光材料来定义图

（原标题：EUV光刻耗电股票配资交易佣金，被妖魔化了？） 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自天下杂志，谢谢。 根据台积电最新的永续报告书显示，台积电去年能源总消耗量为224亿度，较前年的192亿度增加16.66%，达历年新高，其中，电力占达188.9亿度、年增15%，再创新高，并达能源总消耗量的84.3%，再生能源电力约占21.9亿度、仅9.7%。 其中，先进制程所采用的EUV成为耗电大户，针对这一点，ASML联系媒体做了澄清，「我们不是吃电怪兽。」 1 三理由还EUV清

在英特尔和台积电之后，韩国芯片巨头也加入了EUV光刻机新竞赛。 三星电子半导体（DS）部门最早将于今年年底引进High NA极紫外（EUV）设备。除了下一代曝光设备之外，我们还在开发可以检查高数值孔径掩模的设备。看来他们正在积极从事技术开发，以便在与英特尔和台积电等全球半导体竞争对手的“芯片大战”中具有竞争力。 据业内人士13日报道，三星电子最早将于今年年底和明年第一季度开始进口该公司首款High NA EUV设备“EXE:5000”。据说，华城校区的半导体研究中心（NRD）被认为是第一个 H

IT之家 8 月 13 日消息，据韩媒 THE ELEC 报道，SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的学术会议上表示，未来考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM 内存，以降低成本压力。 Seo Jae-Wook 表示： 从 1c DRAM 开始，EUV 光刻成本迅速增加，现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。 （SK 海力士）也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG（IT之家注：即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D